| Kitob tashqi havolasi (to‘liq matni): | Yuklab olish |
|---|---|
| To‘liq matnni ko‘chirib olish uchun kutubxonaga a'zo bo‘lish shart | |
| Hujjat turi: | Va boshqa |
| Nashr tili: | Ruscha |
| Kataloglashtirish manbai: | Rus kiril |
| Hujjat tipi: | Bosma shaklda |
| Kirish huquq turi: | OCHIQ KIRISH |
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
Kitob mualliflari
В.С.Вавилов,
А.Е.Кив,
О.Р.Ниязова,
В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микро механизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.
| Bilimlar sohasi: | | Fizika | |
|---|---|
| UDK | 539.2 |
| Kitob nashriyoti nomi: | Наука |
| Kitob nashr qilingan shahar: | Москва |
| ISBN: | |
| Kitob nashr qilingan yili: | 1981 Yil |
| Betlar Soni: | 368 |
Kitobga aloqador kitoblar
